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高通推出第三代5G基带,采用5nm工艺

时间:2020-02-20 10:55 文章来源:网络整理 作者:新能源网 点击次数:84

在推出两款5G调制解调器:Snapdragon X50和Snapdragon X55之后,日前,高通宣布正式推出第三代5G调制解调器Snapdragon X60,据了解,这是全球首款采用5nm制程的5G基带。

Snapdragon X60基于5纳米工艺打造,支持Sub-6和mmWave之间的载波聚合,拥有最高7.5Gbps的下载速度和3Gbps的上传速度,支持5G VoNR。其中Snapdragon X60支持支持5G FDD-TDD 6GHz以下频段载波聚合、5G TDD-TDD 6GHz以下频段载波聚合、毫米波-6GHz以下频段聚合。与X55基带相比,X60由于采用了独立组网模式在6GHz以下频段的载波聚合成功实现5G独立组网峰值速率翻倍增长。

 

高通发布第三代5G基带骁龙X60:5nm工艺、全面聚合

 

高通发布第三代5G基带骁龙X60:5nm工艺、全面聚合

X60调制解调器采用了新的mmWave天线模块,即第三代毫米波模组“QTM535”,比QTM525尺寸更小但性能更强,支持26GHz、28GHz、39GHz等全球毫米波频段。新模块可以带给用户更快的网络速度以及更低的时延,这对于未来的物联网场景以及多人游戏场景而言至关重要。

据悉,高通从第一代X50首次发布到实际投入到消费设备中共花了大约两年时间,X55加快了该过程,缩短了产品上市时间并最终在2019年底和2020年向消费类设备推广。值得注意的是台积电尚未大批量生产5nm制程芯片(很快就会实现,但根据ISSCC 2019年12月消息,良率很低),而三星则更落后于此。高通计划在2020年第一季度对骁龙X60和QTM535进行出样,而搭载X60基带及射频系统的手机将在2021年面世。


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